日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹：

ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變容二極管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導率、介電常數、生物醫學(xué)技術(shù)分析、CV測量：半導體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變容二極管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導率、介電常數、生物醫學(xué)技術(shù)分析、CV測量：半導體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。

基本精度

頻率范圍

阻抗范圍

測量 AC 信號級別

DC 偏置

測量時(shí)間

測量參數

±0.08%

10 µHz～36 MHz

10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)

0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 µArms～60 mArms

?5 V ～ +5 V/?40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA

0.5 ms/point

Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs",µs, µs’, µs", FREQUENCY

快速測量  業(yè)界.5 ms/point

實(shí)現了業(yè)界的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線(xiàn)的節拍時(shí)間，提高測量作業(yè)的效率。
此外，通過(guò)增加設定的測量時(shí)間，使測量結果平均化，減輕噪聲的影響?？梢曅枰x擇合適的測量時(shí)間。

4種測量模式  應對廣泛的DUT

IMPD-3T
  標準測量模式

本模式可以在廣泛的頻率范圍內進(jìn)行高精度測量?？墒褂脺y試線(xiàn)及測試夾具，應對各種形狀的試樣。

IMPD-2T
  高頻測量模式

本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進(jìn)行穩定的測量。使用 N 型連接器進(jìn)行 2 端子測量，即便配線(xiàn)長(cháng)，也可以進(jìn)行穩定的測量。

IMPD-EXT
 外部擴展測量模式

本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進(jìn)行測量。
可以通過(guò)施加高壓信號或檢測微小電壓 / 電流進(jìn)行單獨使用本儀器無(wú)法應對的測量。

G-PH
  增益/相位測量模式

本模式可以測量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測電路施加掃描信號，高精度地測量其頻率響應（增益、相位）。

正面面板測量端子

特點(diǎn)

結合用途配備豐富的功能！
以適合DUT特性的設定，支持高重現性且準確的測量。
準確的評價(jià)基于實(shí)際使用的操作條件。

電子零件、電子材料可能因測量頻率及施加的信號級別而表現出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴(lài)性，二極管等半導體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評價(jià)真實(shí)的特性，重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻，在實(shí)際的操作條件下進(jìn)行測量。

特點(diǎn)

• ● 掃頻

• ● 延遲功能

• ● 標記操作

• ● 測量條件等的設定

• ● 自動(dòng)高密度掃頻

• ● 順序測量

• ● 量程

• ● 誤差校正

• ● 圖表顯示

豐富的功能

• ● 共振點(diǎn)跟蹤測量

• ● 相對介電常數測量

• ● 外部基準時(shí)鐘

• ● 等效電路估算

• ● 相對導磁率測量

• ● 存儲器操作

• ● 壓電常數計算

• ● 比較器 / 處理器接口

掃頻   頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬

AC 振幅掃描

掃頻

DC 偏置掃頻

零頻寬

不變更頻率、AC 振幅和 DC 偏置的參數，按恒定的條件進(jìn)行測量，觀(guān)察不同時(shí)間的特性變化（橫軸：時(shí)間）

● 也能應對點(diǎn)測

按恒定的頻率 /AC 振幅 /DC偏置進(jìn)行測量，以數值顯示測量結果。多可以設定 6 個(gè)項目。
與比較器功能組合，可以進(jìn)行篩選及判定是否合格。

生產(chǎn)線(xiàn)內的測量

測量條件等的設定

在 1 個(gè)界面內直觀(guān)地進(jìn)行詳細設定

設定項目（SETTING VIEW）

設定圖表軸

設定頻率

量程

自動(dòng)量程

監視測量結果，同時(shí)自動(dòng)設定合適的量程進(jìn)行測量。
檢測到超過(guò)量程的外部噪聲或直流分量時(shí)，重新設定為更大的量程并重新測量。測量數據的變化大時(shí)啟用。

固定量程

量程固定，因此不會(huì )產(chǎn)生因量程變化引發(fā)的測量值不連續（段差）。

延遲功能

如果在掃描過(guò)程中變更了頻率、AC 振幅等掃描參數，則瞬態(tài)響應將導致測量結果出現誤差。參數變更后，可以延遲開(kāi)始測量的時(shí)間。延遲包括“延遲開(kāi)始測量"和“延遲測量"，前者在開(kāi)始測量時(shí)延遲，后者在掃描過(guò)程中每次變更參數時(shí)延遲。

自動(dòng)高密度掃頻

在掃頻測量中，本功能限定在測量數據突變的區間自動(dòng)提高頻率密度進(jìn)行測量。
在壓電振蕩器、晶體振蕩器等的共振特性測量中，本功能在相位急劇變化的共振附近的測量中啟用。

誤差校正

為進(jìn)行準確的評價(jià)，需根據測量誤差因子進(jìn)行校正。

為進(jìn)行準確的測量，需適當校正殘余阻抗、電纜長(cháng)度等各種測量誤差因子。

開(kāi)路校正

減少因殘余導納引起的誤差

短路校正

減少因殘余阻抗引起的誤差

負載校正

以具有已知值的試樣作為標準阻抗，校正與真值的偏差

端口延長(cháng)

使用長(cháng)電纜時(shí)，校正因傳輸延遲時(shí)間而產(chǎn)生的相位誤差

電位梯度消除

消除測量信號所含的電位波動(dòng)波形的影響。在由于電池等的充放電會(huì )引起電位變化的試樣的測量中啟用

補償

預先測量連接到外部的傳感器、電纜等測量系統的頻率特性，校正測量系統的誤差成分

輸入加權碼

校正探頭的衰減量及前置放大器的增益

自行校準

校正自身誤差

標記操作

本功能用于讀取所顯示的圖表中 X、Y1、Y2 的測量值。
多可使用 8 個(gè)標記。

Δ標記　顯示與基準標記（標記 1）的差異

ΔTRKG 標記

與Δ標記同樣顯示差異，移動(dòng)到標記 1 時(shí)，保持恒定的掃描值差異，同時(shí)進(jìn)行移動(dòng)

標記搜索功能

可自動(dòng)搜索與設定條件一致的點(diǎn)

順序測量

本功能預先設定多項所需的測量條件，按照該條件依次進(jìn)行測量。多可將掃描范圍分割成 32 部分，各范圍內按照不同的測量條件進(jìn)行測量。
可高效地測量因電壓值而使特性發(fā)生變化的多層陶瓷電容器（MLCC）、電感器及變壓器等器件。

圖表顯示

SINGLE 顯示 /SPLIT 顯示

可選擇在 1 個(gè)畫(huà)面內顯示 1 個(gè)圖表的“SINGLE"和上下顯示 2 個(gè)圖表的“SPLIT"

相位顯示操作

±180°、0°～＋360°、－360°～0°、UNWRAP（連續顯示）、 360°移位、孔徑（群延遲特性）

跡線(xiàn)操作

可改寫(xiě)測量數據跡線(xiàn)（MEAS）和多 8 條參照數據跡線(xiàn)（REF）

自動(dòng)存儲

本功能在掃描測量結束后自動(dòng)將 MEAS 跡線(xiàn)復制到 REF 跡線(xiàn)中。在隨時(shí)間而變化的特性觀(guān)測中啟用。

● SPLIT 顯示

● 自動(dòng)存儲

共振點(diǎn)跟蹤測量

本功能在測量具有共振的試樣時(shí)，使測量頻率自動(dòng)跟蹤試樣的共振頻率。 即使試樣具有振幅依賴(lài)性或共振頻率隨時(shí)間變化而波動(dòng)，也可以始終進(jìn)行與共振頻率一致的測量。本功能便于在壓電元件的共振點(diǎn)附近進(jìn)行連續測量。

共振頻率變化（1.6 kHz→1.5858 kHz）、自動(dòng)跟蹤

等效電路估算

本功能將掃頻測量獲得的阻抗特性應用于等效電路模型，從而求出LCR 元件的值（電感值、電容值、電阻值）。準備有以下 6 種模型。等效電路估算結果可以用 CSV 格式保存。

等效電路模型

壓電常數計算

本功能測量壓電陶瓷的頻率 - 阻抗特性，并計算機電耦合系數和壓電常數等。

按照 JEITA 標準《EM-4501A　壓電陶瓷振蕩器的電氣試驗方法》規定的方法計算參數。

測量結果顯示

常數計算畫(huà)面

相對介電常數測量

可以預先設定試樣尺寸等信息，將阻抗測量結果（Cp，Rp）換算為復相對介電常數進(jìn)行顯示。

● 相對介電常數 εs

● 相對介電常數實(shí)部 εs’

● 相對介電常數虛部 εs"

● 損耗率 Dε

εs’?εs"

εs?Dε

相對導磁率測量

可以預先設定試樣尺寸等信息，將阻抗測量結果（Ls, Rs）換算為復相對導磁率進(jìn)行顯示。

● 相對導磁率µs

● 相對導磁率實(shí)部 µs’

● 相對導磁率虛部 µs"

● 損耗率 Dµ

µs’?µs"

µs?Dµ

比較器 / 處理器接口  用于生產(chǎn)線(xiàn)!

測量速度 快 0.5 ms/point，縮短了節拍時(shí)間，
并進(jìn)一步完善了零件篩選功能!!

比較器功能針對測量結果預先設定判定范圍，為篩選試樣而進(jìn)行分類(lèi)以及判定是否合格。

比較器設定畫(huà)面

分類(lèi)判定

本功能多可將判定結果分為14類(lèi)。判定結果

極限判定

本功能在已設定的范圍內判定測量結果是否合格。

區域判定

本功能通過(guò)X軸(掃描參數)和Y1/Y2軸(測量結果)的2個(gè)維度判定掃描測量結果是否合格。

處理器接口

可以將比較器的判定結果輸出到背面面板上配備的處理器接口連接器。通過(guò)連接零件處理器，可以構建零件的自動(dòng)判別系統。

外部基準時(shí)鐘

外部的 10MHz 時(shí)鐘信號可以用作基準時(shí)鐘。
通過(guò)使用精度高于內部基準時(shí)鐘的基準時(shí)鐘，可以提高測量頻率的精度和穩定性。
此外，通過(guò)采用與其他儀器通用的基準時(shí)鐘，可以共享頻率精度。

配備于背面面板

存儲器操作

測量條件及測量數據可以保存到內存或 USB 存儲器中，也可以進(jìn)行讀取。

● 用于電化學(xué)阻抗特性測量

配備用于測量各種電化學(xué)阻抗的功能，例如測量電池的內部阻抗等。

• ● 可以從超低頻10μHz開(kāi)始測量

• ● 利用電位梯度消除功能，抑制充放電對電位變化測量的影響

• ● 利用0° SYNC功能，在相位0°處變更測量頻率，使測量前后對試樣的電荷轉移量為零。

• ● 利用測量同步驅動(dòng)功能，僅在測量過(guò)程中輸出信號，
    從而將施加信號產(chǎn)生的電池負擔減輕到小限度。

• 測量例

  測量實(shí)績(jì)數據 (各類(lèi)電子元件以及電子材料)

  	|	電容器	|	電感器	|	電阻器	|
  	|	壓電元件	|	液體	|	電路	|

  

  

  
  

  電容器

  ●0.1μF 電容 (引腳元件) 電容頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T)

  ●0.1μF 電容 (引腳元件) 阻抗頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T)

  

  ●4.7μF 電容器 (SMD元件) 電容ESR測量 標準測量模式 (IMPD-3T)

  

  
  

  
  

  電感器

  ●10μH 電感器 (SMD元件) 自諧振頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T)

  ●RFID傳輸用天線(xiàn)電感器 (PCB裝機) 共振頻率測量 高頻測量模式 (IMPD-2T)

  

  ●220μH 線(xiàn)圈電感器 自諧振頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T)

  

  
  

  
  

  電阻器

  ●50MΩ 電阻器 高阻抗測量 外部擴張測量模式 (IMPD-EXT) 連接外部寬頻電流放大器 (SA-604F2) 所測量

  

  
  

  
  

  壓電元件

  ●壓電陶瓷振蕩器

  共振頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T) 利用marker操作，顯示共振點(diǎn)的數值

  共振頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T) 使用marker操作，顯示共振點(diǎn)·共振點(diǎn)的數值

  

  
  

  
  

  液體

  ●純凈水

  阻抗頻率測量 標準測量模式 (IMPD-3T) 使用液體測量治具所測量

  介電常數測量 通過(guò)左邊的阻抗頻率測試結果所計算出的介電常數數值 (εs′, εs")

  

  
  

  
  

  電路

  ●CR濾波器 (fc≒10 MHz) 增益/相位測量 (G-PH) 增益/相位測量模式 技術(shù)規格 機型 ZA56730 頻率范圍 20Hz~36MHz 測試參數 L（電感）、Q（品質(zhì)因素）、D（消耗因素）、C（電容）、Z（阻抗）、X（電抗）、ACR（交流電阻）、θ（相位角）、Y（導納）、G（電導）、 B（電納）、V、I、εs（介電常數）、Dε（損耗率）、μs（磁導率）、G-PH（增益/相位） 參數范圍 Z, R, X：  10μΩ ~ 100GΩ G, Y, B：  0.01mS ~ 999.999GS L：  0.01nH ~  2kH C：  1aF ~999.999GF D：  0.00001 ~ 99999.9 Q： 0.00001 ~ 99999.9 εs、μs：1a ~999.999G Dε、Dμ :0.00001 ~ 99999.9 V：0 ~9.99999 Vrms I：0 ~99.9999 mArms dB：-999.999dB ~ 999.999 dB θ:  -180.000 o ~ +179.999 o  ；0.000 o ~ +360.000 o AC信號電平 0.01 mVrms ~ 3 Vrms ； 0.1 μArms ~ 60 mArms 輸出阻抗 50Ω 等效電路 六種等效電路模型 直流偏置 內置偏壓：-5 V ~ +5 V； -40 V ~ +40 V（1 KHz以上） 內置偏流：-100 mA ~ 100 mA 測量模式 標準測量（IMPD-3T） 高頻測量（IMPD-2T） 外部擴展測量（IMPD-EXT） 增益·相位測量(G-PH) 通信接口 GPIB、LAN、USB、RS-232 擴展連接器 AUX連接器 存儲 內存32組（每種測量模式）；外部USB存儲器 溫濕度 溫度0℃~+40℃（操作）、0 ~ 85%RH 輸入電壓 使用電源AC100V ~ 230V ±10% （可自動(dòng)切換），頻率50Hz / 60Hz ± 2Hz 標準配件 操作手冊、電源線(xiàn)、PA-001-3234標準治具、PA-0013233標準電阻（100Ω） 外形尺寸(mm) 430（W）×177(H)× 350(D)   凈重量 約7Kg 訂貨信息Ordering Information ZA57630  精密阻抗分析儀36MHz 配件選配Options 1011   DIP測試夾具 1020   薄膜測試治具≤ 40 MHz 1012   SMD二線(xiàn)式測試治具 ≤ 120 MHz 1022   液體測試治具≤ 40 MHz 1014   SMD四線(xiàn)式測試治具 ≤ 120 MHz 1024   SMD二線(xiàn)式測試治具 ≤ 120 MHz             1025   二線(xiàn)式接觸式測試治具 ≤20 MHz 1032   SMD二線(xiàn)式測試治具 ≤ 120 MHz         40120 SMD鑷子式測試治 ≤ 3 MHz 10324   SMD四線(xiàn)式測試治具 ≤ 120 MHz 1EV1905A   探針式測試治具≤ 3 MHz 1EV1505   四線(xiàn)式測試夾具 ZM2366   三端式測試夾具≤ 10 MHz ZM232A6 三端式測試夾具 ≤ 1.2 MHz 40125  SMD鑷子式測試治具 ≤ 120 MHz ZM2363   DIP四線(xiàn)式測試夾具≤ 10 MHz PA-0013233 標準電阻（100Ω） ZM2394   SMD二線(xiàn)式測試夾具≤ 2 MHz PA-001-3234 標準治具 ZM2394H  SMD二線(xiàn)式測試夾具≤ 30 MHz 1EVA40100   測試夾（細齒）≤ 3 MHz 1EVA40180 測試夾（粗齒）≤ 3 MHz